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SUP/SUB65P04-15
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
2.0
1.5
1.0
V GS = 10 V
I D = 30 A
100
10
T J = 150 °C
0.5
T J = 25 °C
0
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.3 0.6 0.9
1.2
1000
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
60
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
100
I AV (A) at T A = 25 °C
55
50
10
I AV (A) at T A = 150 °C
45
1
40
0.1
35
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
www.vishay.com
4
t in (s)
Avalanche Current vs. Time
T J - Junction Temperature (°C)
Drain Source Breakdown vs.
Junction Temperature
Document Number: 71174
S11-2308-Rev. B, 21-Nov-11
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